PVD Multi-Process tunnfilmsutrustning

PVD Multi-Process tunnfilmsutrustning

Detaljer
PVD Multi-Process Thin Film Equipment är en integrerad vakuumavsättningsplattform konstruerad för att kombinera flera tekniker för tillverkning av tunn-film – inklusive RF/DC Magnetron Sputtering, Thermal Evaporation och Electron Beam Vaporation – inom en enhetlig vakuumarkitektur.
Produktklassificering
PVD-komposit tunnfilmsutrustning
 
Skicka förfrågan
Beskrivning
Tekniska parametrar

PVD Multi-Process Thin Film Equipment är en integrerad vakuumdeponeringsplattform konstruerad för att kombinera flera tekniker för tillverkning av tunn-film-inklusive RF/DC Magnetron Sputtering, Thermal Evaporation och Electron Beam Vaporation-i en enhetlig vakuumarkitektur.


Detta system eliminerar förorening med vakuumbrott mellan distinkta processlager, vilket möjliggör avsättning av komplexa fler-metalliska, dielektriska och halvledarfilmer utan exponering i omgivningen. Konfigurerad för laboratorie- och utvecklingskluster eller pilot-linjeproduktion, den rymmer substrat upp till 300 mm i diameter eller anpassade bärare.

 

Tekniska specifikationer

 

Parameter

Specifikationsdetaljer

Ultimat bastryck

< 5.0 x 10^-6 Pa (Achieved via Turbo-Molecular and Cryogenic Pumping)

Kammarmaterial

304L / 316L rostfritt stål, elektro-polerat (Ra < 0,25 um)

Substratkompatibilitet

Silikonwafers (upp till 300 mm), glas, kvarts, metallfolier, flexibla substrat

Deponeringskällor

Upp till 4 sputterkatoder (2-tum till 4-tum), 2 E-beamfickor, 2 termiska båtar

Filmens enhetlighet

+/- 1% över en 200 mm substratarea (rotations-assisterad)

Underlagsuppvärmning

Omgivningstemperatur till 800 C med PID-temperaturkontroll med sluten-slinga

Strömförsörjning

DC (upp till 5kW), RF (13,56MHz, upp till 2kW), pulsad DC för reaktiv sputtering

Systemkontroll

PLC + Industriell PC, SCADA-mjukvara, full receptautomation och manuell överstyrning

 

Nyckelfunktioner


Modulär vakuumarkitektur:Oberoende processkammare kopplade via grindventiler förhindrar kors-kontamination mellan reaktiv sputtering och hög-vakuumavdunstning.


I-Vacuum Substrat Transfer:Magnetiska eller linjära överföringsarmar upprätthåller högt vakuum (< 10^-4 Pa) during inter-chamber sample movement.


Snabb-Ändra källflänsar:Sputterkatoder och e-stråledeglar är monterade på standard CF-flänsar för snabbt underhåll och målbyte.


Avancerad kryogen fångst:Integrerade kylfällor för flytande kväve och Meissner-fällor minimerar kvarvarande vattenångtryck inuti kammaren.


Övervakning av sluten-öglatjocklek:Dubbla kvartskristallmikrobalanssensorer (QCM) ger real-avsättningshastighet och tjockleksåterkoppling kopplad direkt till reglering av strömförsörjningen.

 

Konfiguration av vakuumsystem


Grovbearbetningsstadiet:Olje-fria scrollpumpar parade med fler-rotfläktar för att eliminera kolväteåterströmning-.


Högvakuumsteg:Backed by magnetically levitated turbo-molecular pumps (>1200 L/s för N2) och kryopumpar som tillval för hög vattengenomströmning-.


Tryckreglering:Baratron kapacitansmanometrar för absolut tryckmätning oberoende av gasart, parade med automatiserade strypventiler för exakt kontroll av processgastrycket (0,1 Pa till 10 Pa).


Läckagedetektering:Heliumläckage-testades till < 1 x 10^-9 Pa*m^3/s före fabrikstestning (FAT).

 

Avdunstningsmaterial och substratkompatibilitet


Konduktiva mål:Au, Ag, Cu, Al, Ti, Cr, ITO, AZO, Mo, W, NiCr.


Dielektriska material:SiO2, TiO2, Al2O3, Ta2O5, HfO2 (via reaktiv sputtering eller e-stråle).


Substrattyper:
Halvledarskivor (kisel, galliumarsenid, indiumfosfid).


Optiska ämnen (Fused silica, BK7, Sapphire).


Flexibla banor och tunna metallplåtar (polyimid, rostfri folie).

 

Applikationer och verifierade prestandadata


Optoelektronik:Avsättning av transparenta ledande oxidskikt (TCO) och anti-reflekterande (AR) optiska filterstaplar.


Tillverkning av halvledarenhet:Bildning av ohmska kontakter, Schottky-barriärer, frölager för elektroplätering och diffusionsbarriärer (Ti/TiN).


Sensortillverkning:Tunn-metalltöjningsmätare, mikro-värmeelement och piezoelektriska givare.


Avancerad FoU:Utforskande fler-tunn-filmssyntes för kvantberäkningskomponenter och nya energilagringsmaterial.

 

Anpassningsalternativ


Kammargeometri:Expanderande kammardimensioner för icke-standard eller överdimensionerade batchsubstrat.


Källintegrering:Anpassade tilldelningsförhållanden mellan magnetronförstoftningspistoler och elektronstråleförångningsfickor.


Bias Sputtering:Substrat RF/DC förspänningsalternativ för filmförtätning och spänningskontroll.


Ladda-Låsintegration:Tillägg av automatiska last-låskammare för att bibehålla hög vakuumintegritet under hög-belastningscykler.

 

Kvalitetskontroll och fabrikstestning


Material spårbarhet:Brukstestcertifikat (MTC) tillhandahålls för alla vakuum-sidor av rostfria stålkomponenter och strukturella ramar.


Renrumsmontering:Slutlig integration och verifiering av-partikelantal utförd i en renrumsmiljö i ISO klass 6.


Factory Acceptance Testing (FAT):72-timmars kontinuerligt vakuum bake-out-test, läckagetestning via masspektrometri med restgasanalysator (RGA) och baslinjefilmavsättningskörning som verifierar tjocklekens enhetlighet.

 

Installation & teknisk support


Guide för att förbereda webbplatsen:Comprehensive utility mapping provided pre-shipment, detailing chilled water flow rates (>15 L/min), tryckluft, processgasledningar (Ar, O2, N2 vid 99,999 % renhet) och krav på elektrisk belastning (3-fas 380V/480V).


Driftsättning:På-installation, vakuumkalibrering och gemensamma testkörningar-som utförs av fabrikens fältserviceingenjörer.


Operatörsutbildning:Strukturerad 5-dagars utbildning på plats som täcker rutinunderhåll, vakuumsäkerhetsprotokoll, receptprogrammering och grundläggande felsökning.

 

Vanliga frågor

 

F: Vilken är den typiska-stopptiden för pumpen från atmosfär till slutligt bastryck?

S: Genom att använda standardolje-fri grovbearbetning och turbo-molekylär pumpkonfiguration uppnår systemet ett bastryck på < 5,0 x 10^-6 Pa inom 45 minuter från en torr, ren start.

F: Kan systemet uppgraderas i fält från en enkammare till ett flerkammarkluster-?

A: Ja. Den modulära ramkonstruktionen innehåller standard ConFlat (CF) flänsade portar och standardiserade mekaniska inriktningsgränssnitt, vilket möjliggör integration av ytterligare deponeringskällor eller last-låsmoduler på din anläggning.

F: Vilka säkerhetsspärrar är integrerade i styrsystemet?

S: PLC-arkitekturen inkluderar hårdvaru-nivåförreglingar för kylvattenflödesfel, tryckfall i tryckluft, stödpumpstatus, över-temperaturförhållanden och skydd mot oavsiktlig ventilation i vakuumkammaren.

 

Populära Taggar: pvd multi-process tunnfilmsutrustning, Kina pvd multi-process tunnfilmsutrustning, tillverkare, leverantörer, fabrik, tunn film PVD -system, Tunt filmvakuumsystem

Skicka förfrågan
Kontakta ossom du har några frågor

Du kan antingen kontakta oss via telefon, e-post eller onlineformulär nedan. Vår specialist kommer att kontakta dig inom kort.

Kontakta nu!