Plasmaetsning av tunnfilmsutrustning

Plasmaetsning av tunnfilmsutrustningär en banbrytande-lösning utformad för precisionsborttagning av tunna-filmbeläggningar, som erbjuder exceptionell prestanda vid ytmodifiering och borttagning av rester. Med hjälp av teknik för reaktiv jonetsning (RIE) kombinerar denna utrustning kemiska reaktioner och fysisk jonbeskjutning för att uppnå enhetlig och kontrollerad filmborttagning.

• Låg-temperaturbearbetning: Plasmaetsningsutrustningen för tunnfilm fungerar vid ultra-låga temperaturer, minimerar termisk stress och förhindrar substratdeformation. Denna funktion är avgörande för ömtåliga material som polymerer och precisionsoptik.
• Justerbar etsningshastighet: Avståndet mellan jonkällan och substratet kan justeras dynamiskt via en höjd-justerbar roterande plattform, vilket möjliggör exakt kontroll över etsningshastigheten (upp till 30 nm/min) för att möta olika processkrav.
• Hög enhetlighet: Utrustad med patenterade jonstrålekällor och avancerad urladdningsteknik genererar utrustningen hög-densitetsplasma, vilket säkerställer enhetlig etsning och konsekventa resultat över substrat upp till 800 mm i diameter.
• Dubbla-funktioner: Utöver filmborttagning kan detta system anpassas för multifunktionella applikationer, inklusive ytrengöring och förbehandling- för efterföljande beläggningsprocesser.

DePlasmarengöringsmaskinfungerar genom ett sofistikerat samspel av fysiskt bombardement och kemiska reaktioner som drivs av joniserad gas (plasma). Systemets kärna genererar plasma genom att applicera radiofrekvensenergi (RF) till en gasmiljö med lågt-tryck (t.ex. syre, argon eller kväve). Denna energi dissocierar gasmolekyler till reaktiva arter, inklusive joner, elektroner och fria radikaler, och bildar ett hög-plasmamoln.

1, plasmagenerering:
När RF-effekt (vanligtvis 13,56 MHz eller 40 kHz) appliceras på elektroderna i vakuumkammaren, genomgår gasmolekyler jonisering. Detta skapar en glödurladdning, vilket ger ett stabilt plasmatillstånd. Valet av processgaser bestämmer den dominerande reaktionsmekanismen: syreplasma utmärker sig vid oxiderande organiska föroreningar, medan argonplasma förbättrar fysisk sputtering för oorganiska rester.

2, Rengöringsmekanism:

• Fysiskt bombardement:Hög-energijoner i plasman kolliderar med ytföroreningar, bryter molekylära bindningar och avlägsnar partiklar genom kinetisk energiöverföring. Denna process tar effektivt bort partiklar och svagt vidhäftande lager.
• Kemisk reaktion:Reaktiva radikaler (t.ex. O⁎, OH⁎) interagerar med organiska föroreningar och sönderdelar dem till flyktiga biprodukter (CO₂, H₂O) som evakueras via vakuumsystemet.
• Ytaktivering:Samtidigt modifierar plasmaexponering ytkemin genom att skapa polära funktionella grupper (-OH, -COOH), vilket förbättrar vätbarheten och vidhäftningen för efterföljande processer.

Jämförelse av etsning före- och efter-

• För-etsning: Kvarvarande kol-baserade filmer (t.ex. DLC/ta-C-beläggningar) eller föroreningar kan försämra ytvidhäftningen och optiska prestanda.
• Post-etsning: En orörd, -fri yta uppnås, vilket förbättrar vidhäftningen för efterföljande beläggningar och förbättrar produktens tillförlitlighet inom industrier som konsumentelektronik, optik och förnybar energi.

• Etsningsgas: Ar, O2
• Strömförsörjning: 380V/50Hz, 10 kW
• Vakuumsystem: Molekylär pump med bastryck Mindre än eller lika med 5,0×10⁻⁴ Pa
• Anpassning: Kammarstorlek och yttermått kan skräddarsys efter kundens behov.

• Borttagning av tunn-film för optiska linser, displaypaneler och precisionsverktyg.
• Ytförbehandling- i 3C-elektronik, medicinsk utrustning och ny energiindustri.